基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究

• 作者: 娄志东 杜文树 杨盛谊 齐洁茹
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 垂直构型有机发光晶体管(VOLET) 静电感应晶体管(SIT) NPB(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphtyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3427-3432
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.086

摘要

nm)/Al中的不同位置对器件光电特性的影响来研究器件漏电流较大的原因以及器件中具体的载流子过程.充分证明了栅极注入的空穴对沟道中的电流有贡献.进而通过用LiF薄层修饰漏极来增强电子的注入并减小漏电流,得到了相对稳定的发光晶体管器件,其发光强度有很大提高并可很好地由栅极电压来进行调控.更换发光材料层容易得到不同颜色的发光晶体管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨盛谊	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	7	44	4.0	6.0
2	娄志东	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	13	71	5.0	8.0
3	杜文树	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	齐洁茹	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0