基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
简要介绍半导体器件的单粒子效应及其机理,重点分析当前国外主要的单粒子效应试验方法标准,针对标准中辐照源及重离子射程的关键问题进行研究,并对如何制定我国的单粒子试验方法标准提出了建议.
推荐文章
SiC器件单粒子效应敏感性分析
碳化硅
空间
航天器
辐射效应
单粒子效应
单粒子烧毁
半导体器件辐射效应及抗辐射加固
双极型器件
MOS器件
辐射效应
辐射加固
半导体器件寿命计算
半导体器件
寿命计算
失效率
阿伦纽斯模型
半导体器件寿命影响因素分析及处理方法
半导体器件
寿命
浪涌
静电
软启动
消浪涌电路
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 半导体器件单粒子效应及标准研究
来源期刊 信息技术与标准化 学科 工学
关键词 半导体器件 效应 单粒子 标准
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 电子元器件
研究方向 页码范围 27-30
页数 4页 分类号 TN3
字数 3329字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-539X.2009.06.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王宝友 23 64 4.0 7.0
2 周俊 10 14 2.0 3.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (2)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1975(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1992(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2011(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体器件
效应
单粒子
标准
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息技术与标准化
月刊
1671-539X
11-4753/TN
大16开
北京市亦庄经济技术开发区同济南路8号
82-452
1959
chi
出版文献量(篇)
4638
总下载数(次)
23
论文1v1指导