离子束溅射生长Ge纳米薄膜的表面形貌观察

• 作者: 刘芳 杨宇 杨杰 杨瑞东 欧阳焜 王茺
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束溅射 Ge纳米薄膜 表面形貌 退火
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 135-138
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.01.038

摘要

采用离子束溅射技术并按正交试验方案生长了不同厚度以及在不同条件下退火的Ge纳米薄膜,用AFM图谱对薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明厚度为2.8nm的Ge膜在600℃下退火10min,出现了高4nm、直径50nm左右的Ge岛,而10nm厚的Ge膜在720℃下退火120min,岛的数量较多且分布比较均匀.通过离子束溅射机理和沉积原子之间的扩散运动,对这些现象进行了较为合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	30	63	4.0	6.0
2	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
3	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
4	刘芳	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	13	25	3.0	4.0
5	欧阳焜	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	2	6	1.0	2.0