低驱动电压两端固定"桥"式RF MEMS开关的研制

• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: RF-MEMS开关 驱动电压 隔离度
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 81-82
• 页数: 2页
• 分类号: TM564
• 字数: 1031字
• 语种: 中文

摘要

文中介绍了一低驱动电压接触式RF-MEMS开关,开关采取了两端固定的"桥式"结构,在桥与支撑点间采用折叠弯曲的铰链结构,而且紧靠中央信号线的旁边各有一个较大面积的电极,这些措施降低了开关的驱动电压.整个工艺采用表面微加工工艺.由实验测试可知:开关驱动电压11 V左右,与ANSYS模拟的值12 V基本一致,开关的S参数,在的范围内,插入损耗要小于-1 dB,在频段(≤5 GHz),开关的隔离度要优于-30 dB,在频段5～10 GHz,隔离度也要高于-20 dB.