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摘要:
分析了传统CMOS工艺带隙基准源电路中基准电压设计的局限性。给出了一种低电源电压带隙基准源的电路设计方法,该电路采用TSMC0.13μm CMOS工艺实现,通过Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的600mV电压在-30-100℃范围内的温度系数为12×10^-6/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)可达-81dB,可在1-1.8V范围内能正常工作。
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文献信息
篇名 一种低电压带隙基准电压源的设计
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 带隙基准电压源 低电压源 PSRR 温度系数 电源抑制比
年,卷(期) 2009,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 61-63
页数 3页 分类号 TN431.1
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1 胡赛君 北京工业大学嵌入式系统重点实验室 3 3 1.0 1.0
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带隙基准电压源
低电压源
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电源抑制比
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期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
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11366
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