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摘要:
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀.结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反.刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起.20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率
来源期刊 光学学报 学科 工学
关键词 光学材料 出光效率 光增强湿法刻蚀 垂直结构GaN基LED Si衬底
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目 光学设计与制造
研究方向 页码范围 252-255
页数 4页 分类号 TN312+.8
字数 2187字 语种 中文
DOI 10.3788/AOS20092901.0252
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 饶建平 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 3 46 3.0 3.0
2 周印华 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 1 21 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
光学材料
出光效率
光增强湿法刻蚀
垂直结构GaN基LED
Si衬底
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学学报
半月刊
0253-2239
31-1252/O4
大16开
上海市嘉定区清河路390号(上海800-211信箱)
4-293
1981
chi
出版文献量(篇)
11761
总下载数(次)
35
总被引数(次)
130170
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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