DC～30 GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造

• 作者: 侯智昊 刘泽文 李志坚
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 RF MEMS开关 并联接触
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 1922-1927
• 页数: 6页
• 分类号: TM564|TN405
• 字数: 1805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2009.08.022

摘要

对适用于DC～30 GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究.利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触.使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗.所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60 V,上下电极的接触电阻为0.1 Ω.插入损耗为-0.03 dB@1GH,-0.13 dB@10 GHz和-0.19 dB@20GHz,在DC～30 GHz的插入损耗都＜-0.5 dB;隔离度为-47 dB@1 GHz,-30 dB@10 GHz和-25 dB@20 GHz,在DC～30 GHz的隔高度都＞-23 dB.测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30 GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯智昊	清华大学微电子学研究所	6	16	3.0	4.0
2	刘泽文	清华大学微电子学研究所	50	169	7.0	10.0
3	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0