利用退火方法降低自旋阀薄膜的矫顽力

• 作者: 任天令 刘华瑞 刘理天 李伟
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 自旋阀薄膜 退火 数值模拟
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 1322-1326
• 页数: 5页
• 分类号: TM27|TP212.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2009.06.021

摘要

降低自旋阀薄膜矫顽力对于制作巨磁电阻(GMR)传感器非常重要.报告了利用退火方法降低自旋阀薄膜矫顽力的实验结果,介绍了数值模拟退火的条件和方法,借助计算机对退火实验的条件及其实验结果进行了模拟.结果表明,模拟后的结果可以用来进一步优化退火条件,并不再需要做大量退火实验.使用优化后的退火条件大大降低了自旋阀薄膜的矫顽力同时可保持自旋阀的磁电阻变化率(MR)在较高的水平.介绍了不同退火参数下的模拟实验,结果显示退火前样品的的矫顽力为358.2 A/m、MR为9.24%,退火后其分别降到3.18 A/m和8.54%,表明数值模拟方法可以较好地拟合自旋阀薄膜的退火条件及实验结果,并有助于优化退火条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	李伟	重庆大学光电技术与系统教育部重点实验室	89	932	17.0	28.0
7	刘华瑞	清华大学微电子学研究所	12	15	2.0	3.0