Cu-In合金硒化法制备CuInSe_2薄膜

• 作者: 周兆锋 欧铜钢 潘勇 王建兴 谭艳芳
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积 Cu-In CuInse_2 硒化
• 年，卷（期）: 2009,（22）
• 所属期刊栏目: 加工工艺
• 页码范围: 90-92
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 2339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.22.026

摘要

采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe_2薄膜.采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比.研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响.硒化后,Cu与In的化学计量比为1,1时形成了比较单一的CuInSe_2黄铜矿相结构.