基于BP神经网络的电子元器件寿命预测

• 作者: 姚若河 邹心遥
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: BP神经网络 寿命预测 电子元器件 MOS电容
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 52-54
• 页数: 3页
• 分类号: TP202
• 语种: 中文

摘要

电子元器件的寿命预测对于制订寿命试验的规划,确定所需的试验时间及试验经费,都有十分重要的指导作用.基于BP神经网络提出了一种电子元器件寿命预测的方法,该方法可对当前样本的未来观测值或未来样本的观测值进行预测.对MOS电容的加速寿命试验数据进行了仿真试验,结果表明该方法可较好地预测MOS电容在相应的应力条件下的失效时间,且精度较高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学电子与信息学院	126	611	11.0	18.0
2	邹心遥	华南理工大学电子与信息学院	6	61	5.0	6.0