CMOS工艺中负阻器件的研究

• 作者: 张彩珍 李沛羽 杨涛
• 来源期刊: 中国科技信息
• 学科: 工学
• 关键词: 负阻 MOS NAND NOR
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 制造
• 页码范围: 132,134
• 页数: 2页
• 分类号: TP3
• 字数: 1507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8972.2009.09.075

摘要

本文简单阐述了负阻器件电路的原理,提出了一种利用MOS管构成负阻电路的设计方案,通过Pspice仿真验证了电路的正确性,可行性.最后讲述了负阻电路在NAND和NOR逻辑门电路中的应用,并与常规电路进行了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张彩珍	兰州交通大学电子与信息工程学院	28	85	4.0	8.0
2	李沛羽	兰州交通大学电子与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
3	杨涛		1	0	0.0	0.0