不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法

• 作者: 上官士鹏 余永涛 封国强 朱翔 董刚 陈睿 韩建伟 马英起
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 不同工艺尺寸 单粒子闩锁效应 SEL三维仿真模型 防护结构 重离子辐照
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 264-269
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 3072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.074005

摘要

基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究.研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感.结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计.结果表明,90 nm和0.13 μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18 μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构.