CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究

• 作者: 陈祝 龙恩
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 闩锁效应 CMOS电路 版图设计
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 字数: 2224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.11.006

摘要

CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出.闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效.文章首先分析了CMOS电路结构中效应的产生机理及其触发方式,得到了避免闩锁效应的条件.然后通过对这些条件进行分析,从版图设计和工艺等方面考虑如何抑制闩锁效应.最后介绍了几种抑制闩锁效应的关键技术方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈祝	成都信息工程学院通信工程系	20	67	5.0	7.0
2	龙恩	成都信息工程学院通信工程系	2	18	2.0	2.0