高温CMOS集成电路闩锁效应分析

• 作者: 代月花 周国祥 孟坚 柯导明 赵海峰 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高温LDD CMOS集成电路 闩锁效应 解析表达式
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1894-1896
• 页数: 3页
• 分类号: TN309
• 字数: 2828字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.12.044

摘要

本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区,基区输运因子起主要作用;VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区,发射效率起主要作用.但是他们的维持电流都与温度是负指数幂关系.文章给出了这两种模式下的维持电流与温度关系,公式在25℃至300℃之间能与实验结果符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周国祥	合肥工业大学计算机系	93	669	14.0	21.0
2	赵海峰	安徽大学电子工程系	36	308	8.0	16.0
3	柯导明	安徽大学电子工程系	83	423	10.0	17.0
4	陈军宁	安徽大学电子工程系	160	1135	16.0	26.0
5	代月花	安徽大学电子工程系	34	113	6.0	8.0
6	孟坚	安徽大学电子工程系	39	122	6.0	9.0
7	高珊	安徽大学电子工程系	28	89	6.0	8.0