CMOS集成电路闩锁效应抑制技术综述

• 作者: 李艳丽 王吉源 董丽凤
• 来源期刊: 科技广场
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 闩锁效应 可控硅 抑制
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 电力电子技术
• 页码范围: 188-190
• 分类号: TM341
• 字数: 2051字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4792.2010.03.056

摘要

闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一,本文从CMOS集成电路工艺结构出发,详细地分析了闩锁效应的形成机理,并从版图和工艺设计两方面总结了几种抑制闩锁效应的关键技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳丽	江西理工大学信息工程学院	18	68	5.0	7.0
2	王吉源	江西理工大学信息工程学院	14	48	5.0	6.0
3	董丽凤	江西理工大学信息工程学院	13	45	4.0	6.0