CMOS集成电路闩锁效应抑制技术

• 作者: 李艳丽 王吉源 董丽凤
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 闩锁效应 可控硅 抑制
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 28-30
• 分类号: TM341
• 字数: 2030字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.09.007

摘要

闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出.文章以P阱CMOS反相器为例,从CMOS集成电路的工艺结构出发,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理,给出了闩锁效应产生的三个基本条件,并从版图设计和工艺设计两方面总结了几种抑制闩锁效应的关键技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳丽	江西理工大学信息工程学院	18	68	5.0	7.0
2	王吉源	江西理工大学信息工程学院	14	48	5.0	6.0
3	董丽凤	江西理工大学信息工程学院	13	45	4.0	6.0