具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3.3kV IGBT<em>3</em>芯片技术

• 作者: J.Biermann M.Pfaffenlehner R.Spanke Th.Stolze
• 来源期刊: 电力电子
• 关键词: 具备更强机械性能 高功率IGBT模块 3.3kV IGBT3芯片技术
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 69-72
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术.首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率.本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Th.Stolze		1	0	0.0	0.0
2	J.Biermann		1	0	0.0	0.0
3	R.Spanke		1	0	0.0	0.0
4	M.Pfaffenlehner		1	0	0.0	0.0