脉冲偏压占空比对多孔氧化硅薄膜性质的影响

• 作者: 丁可 刘磊 张菁 杨沁玉 王庆瑞
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 占空比 多孔氧化硅 拉曼光谱 红外光谱
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 等离子体应用
• 页码范围: 189-192
• 分类号: O539
• 字数: 2549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2010.02.019

摘要

采用由脉冲负偏压调节的等离子体增强化学气相沉积方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到了多孔二氧化硅薄膜.将反应过程中加在沉积区域的脉冲偏压固定在-350V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的形貌、成份和结构均不相同.扫描电镜照片表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻,并且薄膜整体变得多孔且蓬松.拉曼光谱和红外光谱结果显示,薄膜样品中的非晶硅和Si-H键在较高的占空比下减弱甚至消失.占空比升高时氧化硅桥键所占比例持续增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆瑞	东华大学材料学院	70	758	15.0	24.0
2	杨沁玉	东华大学材料学院	10	49	4.0	6.0
11	张菁	东华大学理学院	41	254	9.0	14.0
15	丁可	东华大学理学院	10	42	4.0	6.0
19	刘磊	东华大学理学院	3	9	2.0	3.0