横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管特性与应用

• 作者: 卓丽 王婷 耿夫利
• 来源期刊: 科技信息
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 功率晶体管 晶体管建模
• 年，卷（期）: 2010,（34）
• 页码范围: 534-534,537
• 分类号: TN929.533
• 字数: 1369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9960.2010.34.470

摘要

LDMOS以其大功率、高线性度和高效率等优点得到广泛的应用.借助二维数值模拟器MEDICI,采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取得了较好的仿真结果.模型的建立可以很好地指导LDMOS器件的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卓丽	徐州空军学院基础部电工电子教研室	33	23	3.0	3.0