具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

• 作者: 吕建梅 杨银堂 段宝兴 袁嵩 赵逸涵
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 辅助耗尽衬底层 横向双扩散功率器件 击穿电压 优值
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 382-388
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.077302

摘要

为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94％左右,并且优值也从0.55 MW/cm2提升到1.24 MW/cm2,提升了125％.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	段宝兴	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	52	4.0	5.0
3	袁嵩	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	18	3.0	4.0
4	赵逸涵	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0
5	吕建梅	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0