基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
分析了H2对GaAs器件可靠性的影响,在此基础上通过理论计算提出为满足航天及其它特殊应用领域,密封GaAs器件长期贮存和长寿命工作不失效对H2含量的控制要求,最后给出了控制H2含量可行的方法和工艺.
推荐文章
GaAs MMIC可靠性研究与进展
砷化镓器件
单片微波集成电路
可靠性
失效
浅析航天电子元器件质量控制与可靠性保障
航天型号
国产元器件
元器件工程师
质量保证体系
元器件对电源系统可靠性的影响
质量等级
元器件
平均故障间隔时间
可靠性
利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料
GaAs
干法刻蚀
电感耦合等离子体
SiCl4
光滑表面
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 H2对航天用GaAs器件可靠性的影响
来源期刊 质量与可靠性 学科
关键词 GaAs器件 H2含量 可靠性 长期贮存 长寿命工作
年,卷(期) 2010,(5) 所属期刊栏目 实践经验
研究方向 页码范围 30-33
页数 4页 分类号
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘文宝 6 7 1.0 2.0
2 陈文卿 1 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (1)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1994(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2010(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
GaAs器件
H2含量
可靠性
长期贮存
长寿命工作
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
质量与可靠性
双月刊
2096-6768
11-2175/V
大16开
北京市西城区月坛北小街2号院1号楼
1986
chi
出版文献量(篇)
1262
总下载数(次)
2
总被引数(次)
2450
论文1v1指导