半导体中的广延缺陷电子性质、器件效应及结构

• 作者: 胡光华
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: 结构性缺陷 结构完整性 电子性质 电子器件 半导体 晶粒间界 永久性
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 分类号: TN6

摘要

广延或结构性缺陷是对结构完整性的永久偏离，即对实际晶体原子的正确部位的永久性偏离。研究半导体的一个中心议题是与研究各种缺陷以及它们对材料的性质和电子器件工作的影响相关的。有关半导体中广延缺陷的电子性质（即位错、堆积缺陷、晶粒间界和沉淀）和这些缺陷对各种各样电子器件的影响的课题几十年来一直引起人们广泛的兴趣。