GaInP薄膜的金属有机化学气相沉积生长动力学多尺度模拟

• 作者: 俞涛 胡贵华
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 计算流体力学 动力学蒙特卡罗 虚拟现实 多尺度模拟 GaInP薄膜生长
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 所属期刊栏目: 应用物理学
• 页码范围: 1105-1114
• 页数: 10页
• 语种: 中文

摘要

Ⅲ-Ⅴ族化合物GaInP是一种高效发光材料.金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技术能均匀生长多结、多层和大面积的薄膜材料,是一种非常有效的方法.通过分别运用计算流体力学、动力学蒙特卡罗方法与虚拟现实技术相结合,提出了一个研究垂直MOCVD反应器的GaInP薄膜生长过程的流体动力学、热力学和分子动力学多尺度模拟方法.可视化结果不仅准确和直观的显示了MOCVD反应器里的气体热流场分布情况,而且展示了MOCVD反应器中的GaInP薄膜生长过程.因此,该模拟为我们优化GaInP的MOCVD生长提供了一个重要指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞涛		55	367	12.0	16.0
2	胡贵华		8	39	3.0	6.0