阴极电沉积ZnO薄膜的取向控制生长

• 作者: 吕有明 曹培江 朱德亮 柳文军 蔡少敏 谢红丝 贾芳 马晓翠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 电沉积 择优取向
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 214-218
• 分类号: O484.1
• 字数: 3089字
• 语种: 中文

摘要

采用阴极电沉积法,在Zn(NO3)2水溶液中,以304不锈钢为衬底制备了ZnO薄膜,研究了Zn2+浓度和电流密度对ZnO薄膜择优取向的影响规律.XRD结果表明:随着Zn2+浓度和电流密度增大,ZnO薄膜逐渐由(002)面择优取向生长转变为(101)面择优取向生长;当Zn2+浓度为0.005 mol·L-1、电流密度为2.0 mA·cm-2或Zn2+浓度为0.05 mol·L-1、电流密度为0.5 mA·cm-2时,可以得到(002)面择优取向生长的ZnO薄膜;当Zn2+浓度为0.05 mol·L-1、电流密度为2.0 mA·cm-2时,可以得到(101)面择优取向生长的ZnO薄膜.根据二维晶核理论,通过分析不同生长条件下的过饱和度及其对ZnO的(002)型和(101)型二维晶核形核活化能的影响,对这一规律进行了解释.可见,通过改变Zn2+浓度和电流密度能够实现阴极电沉积ZnO薄膜的取向可控生长.