大直径直拉硅单晶等径的PID参数优化

• 作者: 刘冰 吴志强 姜舰 戴小林 朱秦发 邓树军
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 大直径 直拉 单晶直径 PID参数
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 945-949
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2010.06.028

摘要

随着国内硅材料应用技术不断发展,在大直径单晶的直径生长控制方面除了在设备上采用更加先进的双CCD系统,同时也对单晶生长的直径PID提出了更加严格的要求,因此研究单晶生长的直径PID参数设置有着重要意义.以等径阶段PID参数设置为研究对象,采用晶体生长的实验方法研究了不同PID参数控制对晶体生长的影响,分析了不同参数的作用,最终获得了大直径CZ硅等径生长的优化PID控制参数.实验选用TDR-150型单晶炉,Ф700mm热场系统,一次性投人200kg多晶硅,拉制目标直径400mm的大直径硅单晶.从实验中可以分别得到4条晶体生长等径过程中直径波动曲线以及4张等径过程中实际拉速及晶体生长速率波动图.通过对比分析,实验确认了PID 3个参数(P值比例增益,D值微分,I值积分)的合理取值范围及其作用效果:应使P值在系统具备较高灵敏度和稳定控制的平衡点;使D部分在系统频率特性的中频段,以改善系统的动态性能;而使I值在系统频率特性的较低频段,以提高系统的稳态性能,同时又能够作用于长期控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴小林		9	76	5.0	8.0
2	姜舰		3	16	3.0	3.0
3	邓树军		2	8	2.0	2.0
4	吴志强		6	40	3.0	6.0
8	朱秦发		2	3	1.0	1.0
9	刘冰		2	8	2.0	2.0