PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究

• 作者: 修向前 刘斌 张荣 施毅 李毅 苏辉 谢自力 郑有炓 陶涛 韩平
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 生长速率 折射率 硅衬底
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构专辑
• 页码范围: 267-272,303
• 分类号: TN304.24|TN304.055
• 字数: 5002字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.05.002

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜.分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数.并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌.结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230 nm/min甚至更高.对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7～1.86.分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响.