深亚微米结构下的IC设计的电磁干扰(EMI)问题

• 作者: 孙亚楠
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: IC设计 电磁干扰EMI
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 72-73
• 分类号: TN97
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2010.09.025

摘要

在深亚微米结构下,集成电路IC的线路延迟和电磁干扰现象对于系统的影响更加突出.尤其是对超大规模集成(VLSI)电路系统.奉文仪就深亚微米结构下IC设计的电磁干扰问题,详细分析了其产牛的主要来源:宇宙射线、噪声干扰和静电放电ESD,以及预防措施.