反应溅射法制备Y_2O_3种子层研究

• 作者: 冯啸 张飞 柴刚 熊杰 肖山 陶伯万
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 物理学
• 关键词: Y_2O_3种子层 反应溅射 迟滞效应
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 28-31,54
• 页数: 5页
• 分类号: O51
• 字数: 2092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2010.03.007

摘要

采用直流磁控反应溅射法在双轴织构的镍钨合金(Ni-5%W)基带上生长Y_2O_3种子层.研究了由于水分压导致的金属靶材的氧化问题而引起反应溅射的迟滞效应,在其他最优工艺条件下通过水分压系列的试验,通过试验得出溅射电压和水分压的关系和溅射电流和水分压平衡点Pb的关系,以及水分压平衡点为反应溅射法制备Y_2O_3种子层薄膜的水分压最优化条件.在优化工艺条件下,反应溅射法可以制得C轴单一取向的Y_2O_3种子层,其面内外半高宽可达到3.874°和4.914°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	41	205	6.0	12.0
2	陶伯万	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	39	165	5.0	10.0
3	柴刚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
4	肖山	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
5	冯啸	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
6	张飞	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	9	4	1.0	1.0