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摘要:
嵌入式非易失性存储器以其同时具备数据可更改性及掉电保存性而已被越来越广泛的应用于SoC物理设计。文中结合一款电力网控制芯片R36的实际设计案例,分析了该器件的应用特点,并从用途、性能、容量选择等方面说明了通过非易失性存储器对降低芯片成本、提高速度及可靠性应用方法。
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文献信息
篇名 嵌入式非易失性存储器在SoC物理设计中的应用
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 非易失性存储器 电可擦除只读存储器 闪存 片上系统
年,卷(期) 2010,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 22-23
页数 2页 分类号 TP333
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 于忠臣 38 77 4.0 8.0
2 邓思园 北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室 2 0 0.0 0.0
传播情况
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2010(0)
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研究主题发展历程
节点文献
非易失性存储器
电可擦除只读存储器
闪存
片上系统
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
论文1v1指导