沟道-衬底结对旁栅偏压条件下GaAs MESFET沟道电流迟滞行为的影响

• 作者: 丁勇 严晓浪
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: GaAs MESFET 旁栅偏压 迟滞 沟道-衬底结
• 年，卷（期）: 2010,（20）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 2047-2050
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-010-3187-3

摘要

旁栅偏压条件下,GaAs MESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL:和沟道一衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟道电流的迟滞行为发生的根本原因是沟道一衬底结耗尽区展宽和收缩对深能级EL_2的电子俘获和电子发射的响应比较慢.当旁栅偏压稳态变化时,沟道电流的迟滞现象将消失,即存在一个迟滞行为消失的"准静态".这一发现和结论对于MMIC的设计将具有比较重要的指导意义和参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严晓浪		246	1634	19.0	29.0
2	丁勇		32	219	8.0	14.0