掺杂Sm2O3对Ba(Ti,Sn)O3的介电性能的影响

• 作者: 张庆军 曲远方 李远亮 段文创 王冉然
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ba(Ti,Sn)O3陶瓷 介电性能 掺杂 微观形貌
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-22,25
• 分类号: TM22+3
• 字数: 2745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.06.006

摘要

以碳酸钡、二氧化锡和二氧化钛等为原料,制备了掺杂Sm2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3(BTS)陶瓷,研究了所制陶瓷的介电性能.结果表明:当摩尔分数x(Sm2O3)<0.60%时,Sm3+主要进入BTS陶瓷晶格A位,随着x(Sm2O3)的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位.Sm2O3的掺杂量对BTS陶瓷的相对介电常数和介质损耗影响显著,x(Sm2O3)=0.60%时,BTS陶瓷的相对介电常数达到最大值5 560;当x(Sm2O3)=0.10%时,BTS陶瓷的综合性能最佳:介质损耗降至最低值0.0050.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曲远方	天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	77	540	13.0	17.0
2	王冉然	天津海运职业学院轮机工程系	12	14	2.0	3.0
3	李远亮	河北联合大学分析测试中心	9	41	4.0	6.0
5	张庆军	河北联合大学分析测试中心	13	35	4.0	5.0
8	段文创		1	2	1.0	1.0