掺杂Sm2O3对BaSrTiO3介电陶瓷性能的影响

• 作者: 张庆军 曲远方 李远亮 王冉然
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: BaSrTiO3 Sm2O3掺杂 介电性能 居里温度 微观形貌
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 11-13
• 分类号: TM22+3
• 字数: 2454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.10.004

摘要

以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷.利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能.结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm203掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位.在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4 800;随着Sm203掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.007 0.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张庆军	河北理工大学分析测试中心	45	452	8.0	20.0
2	曲远方	天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	77	540	13.0	17.0
3	王冉然	天津海运职业学院轮机工程系	12	14	2.0	3.0
4	李远亮	河北理工大学分析测试中心	2	8	1.0	2.0