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掺杂Y2O3对BaSrTiO3介质瓷性能的影响
掺杂Y2O3对BaSrTiO3介质瓷性能的影响
作者:
刘超
曲远方
李小燕
李远亮
韩风龙
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
无机非金属材料
钛酸锶钡介质陶瓷
三氧化二钇掺杂
介电性能
摘要:
以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷.用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了-30~+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随温度的变化曲线.结果表明,在室温下,试样的相对介电常数最大值εr max不小于5 500,tgδ的最小值不大于16×10-4.
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文献信息
篇名
掺杂Y2O3对BaSrTiO3介质瓷性能的影响
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
无机非金属材料
钛酸锶钡介质陶瓷
三氧化二钇掺杂
介电性能
年,卷(期)
2005,(11)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
19-21
页数
3页
分类号
TM28
字数
2196字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2005.11.007
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘超
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
38
568
10.0
23.0
2
曲远方
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
77
540
13.0
17.0
3
李远亮
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
9
41
4.0
6.0
4
李小燕
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
9
38
4.0
5.0
5
韩风龙
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
2
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研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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