ASIC电路中时钟驱动的抗单粒子加固

• 作者: 徐睿 王栋 罗静
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: ASIC设计 辐射效应 抗辐射加固 时钟树
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 18-22
• 分类号: TN303
• 字数: 2303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.06.006

摘要

CMOS工艺制成的ASIC电路在太空中应用时,在辐射效应的影响下可能导致数据出错,影响整个系统的可靠性.在ASIC电路的抗辐射设计时,最关注的是时钟(CLK)驱动电路受辐射效应的影响.为此,文章分析了深亚微米工艺条件下CLK电路受到单粒子瞬态扰动效应(SET)的影响,为消除SET效应对CLK电路的扰动提出了四种加固方案,且分别介绍了四种方案的加固原理.通过对四种方案的抗辐射性能进行比较,得出在对ASIC时钟电路加固时,需要考虑功耗、延时等因素而采用不同策略.此工作为以后研制抗辐射ASIC电路提供了良好的借鉴和基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王栋		14	25	3.0	4.0
2	徐睿		18	61	5.0	7.0
3	罗静		12	35	3.0	5.0