3D封装TSV技术仍面临三个难题

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 技术 3D封装 TSV 商业模式 高密度 低成本
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 业界要闻
• 页码范围: 62-62
• 分类号: TP333
• 字数: 1205字
• 语种: 中文

摘要

高通（Qualcomm）先进工程部资深总监Mat-tNowak日前指出：在使用高密度的硅穿孔（TSV）来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出：业界对该技术价格和商业模式的争论,将成为这项技术未来发展的阻碍。