LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究

• 作者: 佟丽英 李亚光 李秀强 王俭峰
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: TEOS源 LPCVD 淀积速率 均匀性
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 材料制备工艺与设备
• 页码范围: 24-26,56
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.06.008

摘要

采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试.通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响.结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典型工艺条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	佟丽英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	22	3.0	3.0
2	王俭峰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	8	2.0	2.0
3	李亚光	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	6	1.0	2.0
4	李秀强	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	6	1.0	1.0