磁控过程的计算机模拟

• 作者: 余志强 沈向前 肖清泉 谢泉
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 蒙特卡罗方法 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 49-54
• 分类号: TN304.055|TB43
• 字数: 4218字
• 语种: 中文

摘要

本文基于蒙特卡罗方法,并结合SRIM软件,编制程序跟踪模拟了磁控溅射各物理过程的粒子状态.以铝靶材为例,得到了粒子在磁控溅射各物理过程的状态分布,讨论了工作参数对薄膜沉积过程的影响.模拟结果表明:溅射原子的能量主要分布在20 eV以下,当原子沉积到基片表面时,其能量主要分布在15 eV以下,但有两个分布峰值,两个分布峰值对应着快慢两种不同形式的沉积过程.原子沉积到基片 表面的位置大致服从正态分布,气压p和靶基距离d影响正态分布的方差,也即影响沉积原子在基片表 面分布的均匀性.功率与沉积速度呈良好的线性关系,在工作气压为1 Pa,靶基距离为60mm的条件下,当入射粒子的能量为250 eV时,模拟得到的功率效率最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院	133	486	12.0	17.0
2	余志强	贵州大学理学院	10	38	4.0	6.0
3	肖清泉	贵州大学理学院	40	199	7.0	13.0
4	沈向前	贵州大学理学院	5	27	4.0	5.0