共漏极双功率MOSFET封装研究

• 作者: 毕向东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 共漏极双功率MOSFET 导通电阻 封装效率 微互连 封装散热结构
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 8-10,22
• 分类号: TN305.94
• 字数: 1276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.06.003

摘要

针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望.从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%.同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毕向东		6	51	4.0	6.0