亚阈值应用中SRAM的设计

• 作者: 陈仲珊
• 来源期刊: 信息与电脑：理论版
• 学科: 工学
• 关键词: 亚阈值 SRAM 静态噪声容限 大容量 稳定性
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 36-37
• 页数: 2页
• 分类号: TP333

摘要

本文设计一种工作在200mv电源电压下的7T亚阈值SRAM位单元。双端写入和单端读取保证不损耗可写性下获得较高的读取静态噪声容限(SNM)。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈仲珊		10	5	1.0	2.0