一种新型亚阈值SRAM单元设计

• 作者: 乔树山 孔得斌 袁甲
• 来源期刊: 航空科学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低功耗 SRAM 新单元 位交织 位线漏电补偿 多阈值
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 航空科学基金
• 页码范围: 60-65
• 页数: 6页
• 分类号: TN492
• 字数: 1435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19452/j.issn1007-5453.2020.02.008

摘要

降低电源电压能够大幅降低芯片的功耗,进而减小航空电子设备的能量消耗,为使静态随机存储器能够工作在低电压下,面向亚阈值区设计了一种新型的12T存储单元.该单元通过两个堆叠的访问管完成数据的写入操作,通过一个访问管完成读操作,这样能够消除半选单元的干扰问题并使单元适用于位交织结构.并且单元的读访问路径被专用管子从真实存储节点隔离,在增加读稳定性的同时保证了充足的电压感知裕量.应用多阈值设计技术提升单元的写能力并降低漏电功耗.仿真结果表明,在0.4V电压下提出的新型12T单元相较于传统6T单元读噪声容限提升80％、写能力提升60％,相较于10T单元电压感知裕量和访问速度都获得了提升.该12T单元更适用于低压操作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔树山	中国科学院微电子研究所	53	272	9.0	14.0
2	袁甲	中国科学院微电子研究所	16	33	3.0	4.0
3	孔得斌	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0