极低电源电压和极低功耗的亚阈值SRAM存储单元设计

• 作者: 冯越 尤肖虎 时龙兴 柏娜
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 极低功耗 亚阈值 SRAM存储单元 泄漏电流
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 268-273
• 页数: 6页
• 分类号: TN402|TP333
• 字数: 4412字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2013.02.008

摘要

提出一款可以工作在极低电源电压条件下,功耗极低的亚阈值SRAM存储单元.为使本设计在极低电源电压(200 mV)条件下依然能够保持足够的鲁棒性,采用差分读出方式和可配置的操作模式.为极大限度地降低电路功耗,采用自适应泄漏电流切断机制,该机制在不提高动态功耗与不增加性能损失的前提下,可同时降低动态操作(读/写操作)和静态操作时的泄漏电流.基于IBM 130 nm工艺,实现了一款256×32 bit大小的存储阵列.测试结果表明,该存储阵列可以在200 mV电源电压条件下正常工作,功耗(包括动态功耗和静态功耗)仅0.13 μW,为常规六管存储单元功耗的1.16％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尤肖虎	东南大学移动通信国家重点实验室	211	1862	21.0	35.0
2	时龙兴	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	61	457	11.0	18.0
3	柏娜	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	3	30	3.0	3.0
12	冯越	安徽大学电子信息工程学院	1	11	1.0	1.0