硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛

• 作者: 李成 李阳娟 赖虹凯 黄凯
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 阳极氧化铝模板 硅纳米图形衬底 锗纳米岛
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 975-979
• 分类号: O484.1
• 字数: 2734字
• 语种: 中文

摘要

采用阳极氧化铝模板的方法在硅衬底上制备出分布均匀的硅纳米图形,研究了在硅纳米图形衬底上自组装生长锗纳米岛的演化.发现在500℃下,硅纳米图形对自组装生长锗岛起到诱导作用,获得尺寸和分布均匀的Ge纳米岛,岛的尺寸为35 nm,密度达到5×1010 cm-2.当温度较低和较高时,硅纳米图形的诱导作用变得不明显.最后探讨了纳米图形诱导锗纳米岛生长可能的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李阳娟	厦门大学物理与机电工程学院	1	0	0.0	0.0
2	黄凯	厦门大学物理与机电工程学院	6	13	2.0	3.0
3	赖虹凯	厦门大学物理与机电工程学院	17	32	3.0	5.0
4	李成	厦门大学物理与机电工程学院	45	140	7.0	11.0