嵌入式P端口SRAM的端口间故障测试

• 作者: 单河坤 崔江 王友任 陈则王
• 来源期刊: 计算机辅助设计与图形学学报
• 学科: 工学
• 关键词: P端口 SRAM 结构故障模型 内建自测试 端口间故障
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: VLSI设计与测试及电子设计自动化
• 页码范围: 471-479
• 分类号: TN402
• 字数: 6905字
• 语种: 中文

摘要

为了有效地测试嵌入式P端口静态随机存取存储器(SRAM)端口间的故障,提高电子系统的安全性,提出一种基于结构故障模型的故障测试算法.首先对March C-算法扩展得到w-r算法,即让一个端口执行March C-算法的同时另一个端口于偏移量为±2的地址并行执行伪读操作,并考虑存储器的规则结构给出了其简化算法;然后提出w-w算法,通过2个端口向存储器单元并行写(不同的地址),可有效地激发2个写端口之间的各种故障,使之适用于不同物理布局的存储器,在保证时间复杂度合理的前提下提高了端口间的故障覆盖率.将故障注入64×8位的双端口SRAM中进行仿真实验,得出了故障检测表,验证了其时间复杂度低,表明文中算法具有100%的端口间故障覆盖率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔江	南京航空航天大学自动化学院	71	878	15.0	27.0
2	单河坤	南京航空航天大学自动化学院	1	0	0.0	0.0
3	陈则王	南京航空航天大学自动化学院	37	388	11.0	19.0
4	王友任	南京航空航天大学自动化学院	1	0	0.0	0.0