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SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应
SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应
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摘要：
本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理.文中将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出消除衬底辅助耗尽效应的途径.
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2018(1)
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研究主题发展历程
节点文献
SJ-LDMOST
功率集成电路
衬底辅助耗尽效应
击穿电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品世界
主办单位：
中国科学技术信息研究所(ISTIC)
美国国际数据集团(IDG)
出版周期：
月刊
ISSN：
1005-5517
CN：
11-3374/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市复兴路15号138室
邮发代号：
82-552
创刊时间：
1993
语种：
chi
出版文献量（篇）
11765
总下载数（次）
14
总被引数（次）
19602
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