平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验

• 作者: 吕卫民 翁璐 胡冬 谢劲松
• 来源期刊: 北京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝迁移 功率型半导体晶体管 平面工艺 掺氧半绝缘多晶硅 实验研究
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 页码范围: 1515-1518
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文

摘要

在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.