晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究

• 作者: 任忠鸣 任树洋 任维丽
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 强磁场 磁取向 薄膜生长 材料电磁加工
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 449-453
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能KT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异△x,施加磁场的大小B.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任忠鸣	上海大学材料科学与工程学院	241	1818	22.0	29.0
2	任维丽	上海大学材料科学与工程学院	44	183	7.0	10.0
3	任树洋	上海大学材料科学与工程学院	7	21	3.0	4.0