静态随机存储器低泄漏设计技术

• 作者: 程滔 郭雅琳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 泄漏 功耗 待机 灵敏放大器
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 764-766
• 页数: 3页
• 分类号: TN43
• 字数: 1223字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.06.031

摘要

随着CMOS工艺发展,高性能SoC的泄漏功耗占整体能耗的比例越来越大,内嵌存储器的泄漏是整体泄漏的主要来源,有两方面原因:(1)芯片内嵌的静态随机存储器SRAM容量越来越大;(2)每次访存操作时SRAM仅小部分阵列工作,大部分存储阵列处于非工作状态.总结SRAM低泄漏的电路设计技术,并总结工艺发展对于低泄漏设计技术的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程滔		34	282	9.0	15.0
2	郭雅琳		3	17	2.0	3.0