基于SOI的硅微谐振式压力传感器芯片制作

• 作者: 任森 姜澄宇 苑伟政 马志波
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 谐振式压力传感器 三层薄膜保护工艺 敏感膜片 MEMS SOI
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 180-183
• 分类号: TS212-1
• 字数: 1431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2012.02.007

摘要

采用SOI硅片,基于MEMS技术,设计并加工了一种新型三明治结构的硅微谐振式压力传感器,根据传感器敏感单元的结构设计,制定了相应的制备工艺步骤,并且针对湿法深刻蚀过程中谐振子的刻蚀保护等问题,提出了一种基于氮化硅、氧化硅和氮化硅三层薄膜的保护工艺,实验表明,在采用三层薄膜保护工艺下进行湿法刻蚀10 h后,谐振子被完全释放,三层薄膜保护工艺对要求采用湿法刻蚀镂空释放可动结构具有较高的实用价值.最后对加工完成的谐振式压力传感器进行了初步的性能测试,结果表明,在标准大气压力下谐振子的固有频率为9.932 kHz,品质因数为34.