一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计

• 作者: 张啸诚 邢建力
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙电压 温度系数 BiCMOS工艺 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 359-362
• 分类号: TN402
• 字数: 1738字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2012.03.024

摘要

介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源,其输出电压为1.2V,在-40 ℃～80℃范围内有较好的温度特性,温度漂移系数为9.8×10-6℃-1.采用电压负反馈原理和减少耦合电容的方法,使电路具有高的电源抑制比,并且电路结构简单,匹配性好.采用Hspice工具对电路进行了仿真,验证了设计的正确性.该电路能广泛用于在电源环境恶劣的场合下工作的集成电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张啸诚	厦门大学信息科学与技术学院	1	3	1.0	1.0
2	邢建力	厦门大学信息科学与技术学院	5	8	2.0	2.0