ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件

• 作者: 伍广亨 周洪 牛巧莉 赵灵智 陈心满
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 化学
• 关键词: ZnO 本征缺陷 p型电导 功能器件
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 开发应用
• 页码范围: 149-152
• 分类号: O614.241
• 字数: 4293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2012.04.049

摘要

ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60 meV),室温下激子仍然存在.由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注.但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平.针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵灵智	华南师范大学光电子材料与技术研究所	38	573	11.0	23.0
2	陈心满	华南师范大学光电子材料与技术研究所	3	11	2.0	3.0
11	伍广亨	中山大学物理科学与工程技术学院	4	9	2.0	2.0
12	周洪	中山大学物理科学与工程技术学院	3	4	1.0	1.0
13	牛巧莉	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	1	1.0	1.0